霍尔效应的认识及一些实验？（霍尔效应及其应用实验报告结果分析）

霍尔浅谈（好文分享）收到了好评，口说谬赞，心里却是乐滋滋的。欢喜之余，深感不安，诸多未尽事宜，巴拉巴拉如下。

有客官探讨如下：

1、小的磁体比较难找；

2、磁体一般加先去有60mm左右，常规的直流探针管还不能满足。

可知加入了磁的因素，对探针有了新的要求。

找到了一本好书，对霍尔效应有较为详细的讲述。是浙江大学杨德仁院士等著，2009年由科学出版社出版。

书中第五章对霍尔效应有较为详细的介绍，摘录如下：

霍尔效应测试是研究半导体材料的主要方法之一，通过测量半导体材料的霍尔系数和电导率，可以得到半导体材料的导电类型、载流子浓度和载流子迁移率等参数。

霍尔效应测试具有设备相对简单、测试结果容易解读、动态范围宽等优点。通过霍尔效应计算得到的载流子浓度，精度在20%以内，测试范围是E14-E20/cm3。

以矩形半导体材料为例，其霍尔迁移率和载流子浓度公式如下。

电导率公式如下：

霍尔系数公式如下：

值得注意的是霍尔系数的单位是：m3/C。

霍尔迁移率公式如下：

值得注意的是单位推导中，C·Ω=V·s。

载流子浓度公式如下，其单位是cm-3。

其中l、w、d分别为矩形的长度、宽度和厚度，Vc为外加电压，VH为霍尔电压，I为电流，B为磁感应强度，RH为霍尔系数，n为载流子浓度，q为电子电量，ρ为电阻率，σ为电导率。

推导中，还会发现蛮有意思的现象，磁场单位与迁移率的单位是倒数关系，感兴趣的客官可自我推导下。T=N/(A*m)， 而N=(C*V)/m，C·Ω=V·s，T=(V*s)/m2。

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霍尔浅谈续（收到好评）