台积电介绍3纳米和2纳米制程工艺，称新工艺将带来显著性能提升

近日，台积电在日本就最新的制程技术召开了一次新闻发布会，详细介绍了N3E工艺节点的进展及其所带来的性能提升。此外，台积电还展示了备受期待的下一代制程工艺的线路图，预计2纳米工艺将在2025年实现量产。

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图片来源：PC Watch

台积电副总经理张晓强在发布会上讲解了台积电的最新技术，并表示台积电正在快速发展，在2022年共获得了54.7亿美元的投资，目前公司员工达8558人，表明台积电正在快速扩大其设施并投入时间和金钱开发下一代工艺。

为了强调前几代工艺的演变，台积电还展示了5nm工艺及每个衍生产品的性能提升。除了N5P，N4和N4P工艺外，台积电还分享了新的N4X节点的数据，声称其性能对比三年前发布的N6提高了17%，芯片密度高出5%。

台积电重申：3nm工艺已经从2022年初开始量产，而更新后的N3E工艺已获得技术认证，并将于2023年下半年上市。此外，N3P工艺作为3nm工艺系列的性能增强版本之一，将在2023下半年投入生产，对比N3E性能提升5%，功耗降低5-10%，芯片密度提高1.04倍。另一方面，对于汽车行业，由于自动驾驶等技术创新，对尖端逻辑技术和计算性能的需求不断增加，台积电将推出基于N3E的N3AE（Auto Early）。它将在正式的汽车产品N3A之前作为工艺设计套件（PDK）提供，以支持汽车产品的早期开发，加快上市速度。

当谈到备受瞩目的 2 纳米工艺，台积电表示，N2在2nm工艺中的技术开发正在有序进行，预计将在2025年实现量产。 与N3E相比，台积电的2nm工艺将采用纳米片技术以替代FinFET晶体管，对比N3E性能将提高了10~15%，功耗降低25~30%，芯片密度提高了1.15倍。