本文源自:金融界
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“种半导体薄膜的蚀刻方法及蚀刻装置”的专利，公开号CN 119742252 A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体薄膜的蚀刻方法及蚀刻装置，属于半导体技术领域，所述半导体薄膜的蚀刻方法包括以下步骤：采集多个被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与磁体的位置数据；获取所述被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与所述磁体的位置数据的关系；以及当半导体薄膜被蚀刻时，监测被蚀刻区域的所述半导体薄膜的厚度均匀性数据，当被蚀刻区域的所述半导体薄膜的厚度均匀性数据超出阈值时，依据所述被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与所述磁体的位置数据的关系，调整所述磁体的位置。通过本发明公开的半导体薄膜的蚀刻方法及蚀刻装置，可提高产品质量和产能。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目621次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1080条，此外企业还拥有行政许可16个。
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