杂谈
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MOS管开关时的米勒效应是如何形成的及如何消除米勒效应
MOS管,MOS管米勒效应米勒效应概述米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。 虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。 米勒效应的应…
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MOS开关的米勒效应
米勒效应在MOS管的开关中是一个重要的现象，尤其是在功率电路中，对于电路的损耗影响是非常重要的。 米勒效应，百度百科上的解释是这样的：密勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放…
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MOS管的知识
今天的文章简单总结一下MOS管，如下是本文目录。 ▉ 场效应管分类 场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Fie…
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MOSFET基本原理、参数及米勒效应
自MOSFET被开发出以来，随着半导体工艺技术的不断发展，MOSFET的性能也在不断提高。目前的高压MOSFET工作电压甚至可以达到1000V；低导通电阻的MOSFET组织仅仅一两个毫欧；工作频率范围也达到数兆赫兹，同时，保护措施也越来越完善，价格也不断降低，使用也越来越广泛。本文将从原理到参数再到损耗计算及应用全面介绍MOSFET。 1MOSFET基本工作…
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STA | Advanced Waveform Propagation
是用户需求推动着算力前进，还是算力的跃进拉着用户往前扑腾？半导体工艺的进步带来了诸多好处，但任何好处都是明码标价的，比如Delay 计算，除了要全盘接受先进工艺偏差的各种号称更精确的复杂模型之外，还需要考虑信号真实的波形也就是Waveform. 关于工艺偏差可回顾《STA | 哐！一文打尽 SOCV / POCV》《STA | SOCV: Transitio…
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基础知识 | 交互设计基础定律__米勒定律
米勒定律背景：1956年美国心理学家发表了一篇名为《神奇数字7》的论文，论文中讨论了一维绝对判断的极限和短期记忆极限之间的关系：一维绝对判断的备选数目与短期记忆极限的数目大致相当，数字都在 7 左右徘徊。在后来的好些研究虽然也对论文中的一些概念进行了改善，但这个数字7依然被保留。这也是人们关于短时记忆内容最早期的研究结果，现在也普遍适用在设计中，也就是现在的…
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详谈米勒效应对MOSFET开关过程的危害！
对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。 本文详细分析了MOS管开通关断过程，以及米勒平台的形成。然后结合实际应用电路中说明了M…
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详谈米勒效应对MOSFET开关过程的影响
对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。 本文详细分析了MOS管开通关断过程，以及米勒平台的形成。然后结合实际应用电路中说明了M…
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MOS管：臭名昭著的米勒效应
之前文章有介绍过MOS管的重要特性，其中有一个就是损耗特性； 欣欣向荣：MOS管：主要参数和重要特性82 赞同 · 3 评论文章 除了本身的RDS阻抗外，另一个就是因为MOS管的米勒效应，尤其在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。 米勒效应 MOS管的三极都会存在以下三个电容，分别是：C…
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为什么说搞懂 MOS 管，必须知道米勒效应？
先来了解米勒平台形成的基本原理 MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds…
