杂谈
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雪崩二极管的基础知识解析
雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。 PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。 当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿（隧道击穿）。 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管…
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光电探测器 雪崩二极管APD基本原理
1、雪崩二极管 雪崩二极管主要分为Si基雪崩二极管，Ge雪崩二极管，InGaAs 雪崩二级 管。APD可以对初级光电流进行内部放大，以增加接收机的灵敏度。由于要实现电流放大作用，光生载流子需要穿过很高的电场，以获得很高的能量。光生载流子在其耗尽区（高场区）内的碰撞电离效应激发出新的电子-空穴对，新产生的载流子通过电场加速，导致更多的碰撞电离产生，从而获得光生…
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揭秘雪崩光电二极管「结构、原理、特性、区别PIN 光电二极管」
雪崩光电二极管是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年设计的。雪崩光电二极管是一种非常灵敏的半导体探测器，它利用光电效应将光转化为电。 在光纤通信系统中，使用雪崩光电二极管等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中，电荷载流子是通过碰撞产生的。光粒子状光子会产生许多电子，进而产生电流。 什么是雪崩光电二极管？ 与其他二极管相比，使…
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Lumerical 单光子雪崩二极管仿真
01 说明 二次光子在单光子雪崩探测器（SPAD）的雪崩过程中被发射，它们对内部和外部串扰都会有影响。在本例中，我们演示了如何计算SPAD中二次光源的位置与测量显微镜物镜之间的传递函数。这个传递函数是一个当我们结合远场测量的二次发射光谱时，允许我们计算SPAD里二次光子产生光谱的校正因子。此外，案例还演示了如何矫正模拟出来的远场功率以涵盖正确的光子产生光谱。…
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影响雪崩二极管响应速度的原因有哪些？
本文主要是关于雪崩二极管的相关介绍，阐述了影响雪崩二极管响应速度之分析，并详解了雪崩二极管的相关应用。 雪崩二极管 雪崩二极管是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数…
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关于MOSFET、MOS管雪崩，下面描述是否正确？
・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。 ・ 发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。 ・ MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。 ・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。 ・dV/dt…
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光电倍增管和雪崩光电二极管的区别
本文主要是关于光电倍增管和雪崩光电二极管的介绍，希望通过本文能让你对光电倍增管和雪崩光电二极管有更深的了解。 光电倍增管 光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中。它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200~1200纳米的极微弱辐射功率。闪烁计数器的出现，扩大了光电倍增管的应用范围。激光检测仪…
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雪崩二极管与PIN光电二极管的区别
本文主要是关于雪崩二极管的相关介绍，简明介绍了雪崩二极管的应用及原理，并将其与PIN光电二极管做比对，探究它俩之间的区别。 雪崩二极管 PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。 当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 利用这个…
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单光子雪崩二极管（SPAD）的SENTAURUS建模仿真
近十年来，伴随着碳中和政策的落地，新能源车得到了迅猛发展。随之而来的是自动驾驶技术的等级不断提升。而自动驾驶背后不仅仅是一行行代码所包含的算法智慧，更需要精准稳定的电子硬件配合，其中尤以图像传感器和激光雷达为重中之重。本篇所介绍并建模仿真的半导体器件SPAD（Single Photon Avalanche Diode）则是激光雷达的最常用感光单元。 图1 车…
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你所知道的最黑的黑科技是什么？
谢邀。 高票回答中提到了飞秒成像技术，使我们可以观察到光脉冲的传播轨迹。我来补充解释一下到底是什么黑科技，才能实现恐怖的每秒百亿千亿帧的成像。 1、条纹相机 这项黑科技叫做“条纹相机(Streak camera )”，听起来很玄妙，实际原理并不难理解，因为它并不是传统意义上的相机，反而更像是一个示波器。 示波器是生活中常见的仪器设备，它的基本设计理念与老式显…
