杂谈
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浪涌（冲击）抗扰度测试及校准方法探讨
1 前言 为了真实模拟设备在实际运行中可能遇到的雷击或开关切换瞬变造成的电压或电流浪涌，评价电子电气设备对雷击浪涌的抗扰度水平，标准要求受试设备(EUT)要在规定的带电(DC或AC供电电源)工作状态下，用能产生1.2/50us开路电压波和8/20us短路电流波的组合波信号发生器进行雷击浪涌抗扰度试验，以检验被测设备在实际运行过程中的抗干扰能力。本文通过结…
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电子设备雷击浪涌测试
本文简述雷击浪涌测试的相关基本知识，另简述机顶盒需要做的浪涌测试指标需求。浪涌测试标准GB/T 17626.5-2008 / IEC 6100-4-5：2005 雷击浪涌测试目的？ GB/T 17626.5-2008 / IEC 6100-4-5：2005两个标准规定了设备由开关和雷电瞬变过电压引起的单极性浪涌（冲击）的抗扰度要求，本部分的目的是建立一个共同…
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EMC信号(通信)接口浪涌测试测试目的和指标要求 EMC测试浪涌测试
测试状态：设备的所有可能影响本标准要求的状态都要测试。如果设备状态不能通过正常上电获得，需要通过人工干预获得；没有施加浪涌的端口(包括电话端口，辅助端口以及和未认证设备连接的端口)，要用适当的方式端接并处于正常使用状态；如果设备的一次电源允许插拔，则设备带有电源线和断开电源线两种状态都要测试。 判据允许起安全作用的电路出现开路，或者到地的短路，但在这种失效模…
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2021年3月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿
1、天科合达公司精彩亮相SEMICON China 2021 一年一度的半导体行业盛会——SEMICON China 2021国际半导体展于3月17日在上海新国际博览中心顺利拉开帷幕。作为国内专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达公司”）精彩亮相本次半导体行业盛会。 本次参展主要…
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三星搞笑了：3nm芯片弯道超车失败，连自己都不用
原标题：三星搞笑了：3nm芯片弯道超车失败，连自己都不用 去年6月份的时候，三星就表示称，自己的3nm芯片正式量产，采用的是新一代的GAAFET晶体管技术。 而台积电的3nm，直到去年12月份才量产，采用的还是之前的老迈的FinFET晶体管技术。 可见，三星领先台积电半年，同时技术更先进，毕竟大家都认为GAAFET晶体管技术，比FinFET晶体管技术更先进。…
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垂直GaN，还好吗？
编者按：最近，围绕着垂直式GaN发生了很多新闻，例如去年年底，NextGen system的倒闭以及最近Odyssey semiconductor的清盘。这就不禁引发了大家的思考，垂直GaN未来还会好吗？下面我们来看看这个技术的前景。 宽禁带材料有望作为高功率效率的功率器件材料。特别是GaN、碳化硅（SiC）的技术开发和应用取得快速进展。横向 GaN HEM…
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MOS器件的工作原理（三）
前面给大家分享了MOS管的结构，符号，阈值电压，四种工作状态分别对应的漏电流公式和跨导的定义公式，相信大家对MOS管的工作原理有了一定的了解，这篇给大家介绍后续电路分析中不可缺少的MOS管的三个二级效应。 体效应 在我们之前的分析中，我们都认为MOS管的衬底和源极相连, 即VBS=0。但在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。 对 NMOS 管而言，衬底通常…
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如果当年这样讲MOSFET，模电不逃课（一）
几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的，导致大家看了大量的表述没有理解，没有汲取到营养。各种三维、二维的图形，各式各样，也不统一。 本章节，我们从应用的角度，来看我们选择一个开关的器件，当选择了一…
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阈值电压的计算
阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。 如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件…
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SiC 的阈值电压Vth漂移分析以及带来的影响
碳化硅SiC MOSFET的阈值电压稳定性相对Si材料来讲，是比较差的，对应用端的影响也很大。 有什么现象呢，主要是阈值电压的漂移，再说得直白点，就是阈值电压会随着栅极应力的施加而变化，在正的栅压下，阈值电压会变大，在负的栅压下，阈值电压会变小。在高温下更明显。 在高温和负的栅压下这种偏移我们称为“负偏压温度不稳定性NBTI”，图1是200℃和-20V偏压应…
