杂谈

最近几天，Google宣布对Android开源政策进行重大调整，决定将核心开发全面转向私有分支。这一变化虽然未完全终止Android Open Source Project（AOSP）的开放性，但其影响已经开始在行业内逐步显现。从主流厂商、开源社区、市场竞争格局到Google自身的战略定位，此次调整不仅关乎Android生态的发展，也可能成为整个移动操作系统…

本文源自:金融界 金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，国网上海能源互联网研究院有限公司申请一项名为“构网型分布式储能主动电压支撑方法、装置、设备及介质”的专利，公开号 CN 119742829 A，申请日期为2025年3月。 专利摘要显示，本发明涉及构网型分布式储能主动电压支撑方法、装置、设备及介质，其中，方法包括：获取配电线路的电抗和电阻…

【文/观察者网 齐倩】近年来，美国政府致力于推动制造业回迁，其中包括可再生能源行业。但美媒《纽约时报》4月3日刊文表示，特朗普上台后冻结了对许多可再生能源项目的联邦支持，并对该行业供应链各个部分加征关税。报道认为，美国向清洁能源的过渡将被彻底颠覆，美国能源格局出口也受到冲击。 有美国智库的学者指出，面对关税等政策打压，除非中国绿色企业“有钱没处花”，不然未来…

本文源自:金融界 金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，苏州华兴源创科技股份有限公司取得一项名为“转换电路、电源及其电子设备”的专利，授权公告号 CN 222721136 U，申请日期为 2024 年 5 月。 专利摘要显示，本申请涉及一种转换电路、电源及其电子设备。该转换电路包括：一级钳位电路、过压保护电路和二级钳位电路。一级钳位电路与电源…

本文源自:金融界 金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，保定四方三伊电气有限公司取得一项名为“种用于质子交换膜制氢的DCT电源”的专利，授权公告号CN 222721370 U，申请日期为2024年4月。 专利摘要显示，本实用新型公开了一种用于质子交换膜制氢的DCT电源，包括：依次顺序连接的输入端口电路、逆变电路、直流变压器、第一整流电路和制氢…

IT之家 3 月 26 日消息，近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A（亚埃级）。 据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直…

在半导体制造设备中，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备是三大主要的设备，根据 SEMI 测算数据，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备分别约占半导体设备市场的24%、20%和20%。 刻蚀是利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。 一、半导体刻蚀工艺 刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或…

来源：MEMS，谢谢 近期，来自南京理工大学的研究人员于《新型工业化》期刊发表综述文章，总结了体微加工技术和表面微加工常用的MEMS加工工艺的原理、加工方法及应用，并基于目前的加工技术与应用现状对MEMS加工工艺的未来发展进行了展望。 编辑：感知芯视界 近期，来自南京理工大学的研究人员于《新型工业化》期刊发表综述文章，总结了体微加工技术和表面微加工常用的ME…

晶圆切割Wafer Dicing简介 晶圆切割是半导体制造过程中的关键步骤，涉及从半导体晶圆中精确分离单个集成电路或芯片。随着技术的不断发展，对高性能和小型电子设备的需求不断增加，这使得晶圆切割变得更加重要。晶圆切割的重要性在于它能够将单个芯片与晶圆分离，而不会损坏嵌入其中的精密结构和电路。晶圆切割的成功与否取决于分离芯片的质量和良率，以及工艺的整体效率。为…

刻蚀（Etch）是半导体制造中的关键工艺之一，其目的是将光刻得到的光刻胶图形转移到晶圆表面的薄膜上，通过化学反应或物理作用的方式去除没有光刻胶保护的薄膜，完成图形转移。以下是刻蚀工艺的详细介绍： 分类 湿法刻蚀（Wet Etching）原理：利用化学溶液（如HF酸、KOH）与材料发生各向同性反应，通过浸泡或喷淋实现材料去除。特点：各向同性刻蚀，即刻蚀过程在所…