俄罗斯：2028年制造7nm光刻机（俄罗斯核燃料）

俄罗斯科学院旗下应用物理研究所声称将在2028年造出可生产7nm芯片的光刻机。

鹅乌斗后，俄罗斯为解决芯片短缺的问题，订下了雄心勃勃的尖端芯片国产计划，声称2028年制造出可以支持7nm制程的光刻机俄罗斯鹅乌斗后遭到西方国家制裁，包括芯片在内的科技产品也在制裁之列，俄罗斯为解决芯片短缺的问题，订下了雄心勃勃的尖端芯片国产计划，声称2028年制造出可以支持7nm制程的光刻机。

从俄罗斯提出的发展路径来看，打造出非商业化的7nm制程芯片仍有可能，虽然设定的时程可能太短，要超车制程技术并非没有机会由于芯片产品与技术受到美英制裁，俄罗斯许多工业产品无法生产，包括民生用品与军用武器与设备。

2月底鹅乌斗即遇上制裁，俄罗斯俄罗斯科学院旗下应用物理研究所研究所从4月便开始筹划开发自己研制的光刻机，最近俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构（Novgorod Strategy Development）发出豪语，声称俄罗斯科学院的应用物理研究所（IAP）能在2028年开发出生产7nm芯片的光刻机，能击败同等级的荷兰艾斯摩尔（ASML）产品，此一雄心壮志引起半导体业界哗然。

俄罗斯科学院应用物理研究所俄罗斯为克服西方对它的芯片产业「脖卡子」问题，在应对思维上也是用「举体国制」来解决技术封锁在买不到芯片、买不到芯片技术与芯片设备的情况下，俄罗斯政府推出计划，要求在2028年前开发出ASML技术体系用10年才完成的可用于7nm制程技术。

它提出的方法不外是尽可能地对外国芯片进行逆向工程，以及培养本国人才从事芯片产业俄罗斯科技网站CNews在透露这项计划时指出，俄罗斯IAP打算在2028年做出7nm制程的光刻机，并在2030年做出7nm制程芯片，是超越所有人的预期的想法。

目前俄罗斯最先进的晶圆厂使用的是65nm制程，就算没有制裁，像ASML与美国应用材料这样的公司都花了10年才从65nm升级到28nm制造7nm等级的光刻机是一种高度复杂的设备，涉及高性能光源、精密光学和精确计量等很多关键部件。

作为俄罗斯领先的应用物理研究机构，IAP 相信它可以在相对较短的时间内开发他们所需要的工具

IAP构想的光刻机与ASML或尼康生产的光刻机不同，它使用的光源，功率较低，更易于建造，但光刻机的产能会大大低于现代深紫外（DUV）设备，不过IAP认为「这不会是个问题」据俄媒指出，IAP构想的光刻机与ASML或。

尼康等公司生产的光刻机有所不同，它将使用大于600W（总功率）的光源，曝光波长为 11.3nm，这会将需要比现在更复杂的光学器件由于该设备的光源功率相对较低，会更易于构建，但这意味着其光刻机的产量将大大低于现代深紫外（DUV）设备的产量，不过IAP认为这可能不会是个问题。

俄罗斯要求在2028年前开发出ASML技术体系用10年才完成的可用于7nm制程技术，半导体业界认为很难达到IAP在时间可能过于乐观ASML从2003年引进首款浸润式光核技术用于65nm制程，然后花了5年时间推进到32nm制程，又花了9年时间才完成7nm与5nm制程设备。

亦即ASML在全球顶尖技术支持且没有任何制裁的状况下，花了14年从65nm推进到7nm现在，在芯片生产方面没有任何经验或与芯片制造商没有任何联系的IAP打算在大约6年的时间里从头开始制造一台支持7nm的机器进行量产。

虽然他们满怀热情，但这样的计划听起来太不切实际俄罗斯科学院微结构物理研究所副所长叙卡洛（Nikolai Chkhalo）表示，ASML开发的EUV光刻技术极其复杂，他们的设备主要目标是保持高生产力，但是在俄罗斯不需要这样，「我们只要完成国内面临的需求和任务就够了，这与数量无关，只跟质量有关。

」当然，这个研发过程需要过渡到自己的制造工艺，制订自己的标准，用自己的工具、制程与材料，要开发一条完全自主的道路

在时程上，IAP计划在2024年之前建造一个功能齐全的α版光刻机，它不必提供高生产率或最大分辨率，但必须能够工作并且对投资者有吸引力然后在2026年前制造出具有更高生产率和分辨率的β版光刻机这个版本应该可以量产，但不会达到最大值，然后最终迭代在2028年问世，它的整体性能会更好。

咋听之下，这样的路径可能有点像中芯国际不久前完成的7nm制程芯片，虽然效率不高无法商品化，但能应付特定的国防或尖端技术研究的需要半导体业界提醒，晶圆厂设备不只限于光刻机，还有其他用于蚀刻、沉积、清洗、计量和检查操作、纯水制造等设备，这些机器俄罗斯都无法制造，不像中国大都有现成的产业链，因此就算IAP建造了光刻机，俄罗斯仍然需要数百台其他配合的设备才能建造现代化的晶圆厂，而这些设备早就因制裁而中断供应，当然，找中国厂商协助也是个办法。