知识

  • 电压源和电流源的区别及注意事项

    电压源是恒压源,见名思义,就是内阻较大,电压不随负载的变化而变化。 电流源是恒流源 ,内阻较小,电流不随负载变化而变化。 我们家庭用的220V50Hz交流电就是电压源。 在电路中只有两个电压源且电压不同,由于导线是等势线,所以电压源不能并联,否则可能导致电源烧坏。 两个电流值不相同的电流源是不能串联的,因为不知道电路电流到底是哪个值不知道。 也不能直接用导线…

    杂谈 2025年4月7日
  • 电流源简介

    与电池和墙上的交流电源等电压源相比,电流源不太为人所知。电流源通常隐藏在电子电路内部,看不见。现在让我们了解它们是什么以及它们是如何设计的。 我们大多数人都了解电压源。无论您只将一台设备还是多台设备插入墙上插座,电压都保持不变。当您将两个或三个电池串联时,电压会增加一倍或三倍。 测量电压很容易。如果您有电压表,请将其设置为适当的量程,并将两个探针插入墙上插座…

    杂谈 2025年4月7日
  • Google调整Android开源政策,未来手机厂商还会有的选吗?

    最近几天,Google宣布对Android开源政策进行重大调整,决定将核心开发全面转向私有分支。这一变化虽然未完全终止Android Open Source Project(AOSP)的开放性,但其影响已经开始在行业内逐步显现。从主流厂商、开源社区、市场竞争格局到Google自身的战略定位,此次调整不仅关乎Android生态的发展,也可能成为整个移动操作系统…

    杂谈 2025年4月7日
  • 国网上海能源互联网研究院有限公司申请构网型分布式储能主动电压支撑专利,有效提升配电网台区电能质量

    本文源自:金融界 金融界2025年4月2日消息,国家知识产权局信息显示,国网上海能源互联网研究院有限公司申请一项名为“构网型分布式储能主动电压支撑方法、装置、设备及介质”的专利,公开号 CN 119742829 A,申请日期为2025年3月。 专利摘要显示,本发明涉及构网型分布式储能主动电压支撑方法、装置、设备及介质,其中,方法包括:获取配电线路的电抗和电阻…

    杂谈 2025年4月7日
  • 美媒批特朗普新能源关税:去美国?中企有钱没处花了吗?

    【文/观察者网 齐倩】近年来,美国政府致力于推动制造业回迁,其中包括可再生能源行业。但美媒《纽约时报》4月3日刊文表示,特朗普上台后冻结了对许多可再生能源项目的联邦支持,并对该行业供应链各个部分加征关税。报道认为,美国向清洁能源的过渡将被彻底颠覆,美国能源格局出口也受到冲击。 有美国智库的学者指出,面对关税等政策打压,除非中国绿色企业“有钱没处花”,不然未来…

    杂谈 2025年4月7日
  • 苏州华兴源创取得转换电路相关专利,有利于采用简单电路控制电源电池输出电压

    本文源自:金融界 金融界2025年4月7日消息,国家知识产权局信息显示,苏州华兴源创科技股份有限公司取得一项名为“转换电路、电源及其电子设备”的专利,授权公告号 CN 222721136 U,申请日期为 2024 年 5 月。 专利摘要显示,本申请涉及一种转换电路、电源及其电子设备。该转换电路包括:一级钳位电路、过压保护电路和二级钳位电路。一级钳位电路与电源…

    杂谈 2025年4月7日
  • 保定四方三伊取得用于质子交换膜制氢的DCT电源专利,有助于解决制氢过程中出现的冲击电流过大进而导致质子膜寿命衰减的问题

    本文源自:金融界 金融界2025年4月7日消息,国家知识产权局信息显示,保定四方三伊电气有限公司取得一项名为“种用于质子交换膜制氢的DCT电源”的专利,授权公告号CN 222721370 U,申请日期为2024年4月。 专利摘要显示,本实用新型公开了一种用于质子交换膜制氢的DCT电源,包括:依次顺序连接的输入端口电路、逆变电路、直流变压器、第一整流电路和制氢…

    杂谈 2025年4月7日
  • 中微公司在等离子体刻蚀技术领域实现重大突破

    IT之家 3 月 26 日消息,近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”)宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度,ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又取得新的突破,反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A(亚埃级)。 据介绍,这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上,均得到了验证。该精度约等于硅原子直…

    杂谈 2025年4月7日
  • 半导体专题篇六:刻蚀机

    在半导体制造设备中,光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备是三大主要的设备,根据 SEMI 测算数据,光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备分别约占半导体设备市场的24%、20%和20%。 刻蚀是利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。 一、半导体刻蚀工艺 刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或…

    杂谈 2025年4月7日
  • 综述:MEMS制造工艺研究进展

    来源:MEMS,谢谢 近期,来自南京理工大学的研究人员于《新型工业化》期刊发表综述文章,总结了体微加工技术和表面微加工常用的MEMS加工工艺的原理、加工方法及应用,并基于目前的加工技术与应用现状对MEMS加工工艺的未来发展进行了展望。 编辑:感知芯视界 近期,来自南京理工大学的研究人员于《新型工业化》期刊发表综述文章,总结了体微加工技术和表面微加工常用的ME…

    杂谈 2025年4月7日

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