知识

晶圆切割Wafer Dicing简介 晶圆切割是半导体制造过程中的关键步骤，涉及从半导体晶圆中精确分离单个集成电路或芯片。随着技术的不断发展，对高性能和小型电子设备的需求不断增加，这使得晶圆切割变得更加重要。晶圆切割的重要性在于它能够将单个芯片与晶圆分离，而不会损坏嵌入其中的精密结构和电路。晶圆切割的成功与否取决于分离芯片的质量和良率，以及工艺的整体效率。为…

刻蚀（Etch）是半导体制造中的关键工艺之一，其目的是将光刻得到的光刻胶图形转移到晶圆表面的薄膜上，通过化学反应或物理作用的方式去除没有光刻胶保护的薄膜，完成图形转移。以下是刻蚀工艺的详细介绍： 分类 湿法刻蚀（Wet Etching）原理：利用化学溶液（如HF酸、KOH）与材料发生各向同性反应，通过浸泡或喷淋实现材料去除。特点：各向同性刻蚀，即刻蚀过程在所…

在半导体制造过程中，刻蚀是一个至关重要的步骤，用于精确地去除不需要的材料，形成复杂的电路结构。而反应离子刻蚀（RIE）是一种常用的刻蚀技术，它利用等离子体中的活性粒子与待刻蚀材料发生化学反应，同时借助物理轰击来实现高效且定向的材料去除。所以，本期要跟大家分享的就是关于刻蚀的科普文章，涵盖了反应离子刻蚀的基本原理、所需气体、高深宽比刻蚀的方法以及在哪些结构上需…

一. 刻蚀工艺定义 （图一 刻蚀剖面示意图） 刻蚀是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺，主要采用化学或物理方法对衬底表面，或者表面覆盖的薄膜进行选择性腐蚀或者剥离的过程。如上图一（制造过程中晶圆的某个部位的剖面示意图），通过刻蚀工艺，把光刻胶覆盖范围外的氧化膜去除掉，保留光刻胶保护层下的氧化膜，再通过去除光刻胶，得到保留的氧化膜俯视图就是光罩图形。 二. 刻…

聚焦离子束（Focused-Ion-Beam, FIB）技术是一种先进的微纳加工与分析手段。其基本原理是通过电场和磁场的作用，将离子束聚焦到亚微米甚至纳米级别，并利用偏转和加速系统控制离子束的扫描运动，实现微纳图形的监测分析以及微纳结构的无掩模加工。 FIB系统基本组成 FIB系统由多个关键部分组成，如图1所示。离子源是系统的核心，通常采用液态金属离子源，如…

“在现代科技推动下，芯片制造全流程堪称一场精密的工艺之旅。从最初的设计阶段开始，工程师们运用复杂的计算模型和仿真技术，确保每一个电路和晶体管都完美契合。接着，设计图纸通过光刻技术被精准地转移到硅片上，形成微观电路结构。在掺杂和蚀刻(刻蚀)工艺作用下，硅片逐步演变为功能强大的半导体芯片。多层金属化工艺进一步连接起各个电路单元，最终在封测环节中芯片经过严格质量检…

先进封装中硅通孔（TSV）铜互连电镀研究进展(音频版).MP327:09来自科技导报 随着摩尔定律接近极限，超摩尔定律的2.5D/3D封装登上历史舞台。硅通孔（through silicon via，TSV）是实现多维封装纵向互连的关键技术，也是目前高端电子制造领域的重要代表之一。概述了TSV铜互连的关键技术，包括铜电镀液、电镀工艺和研究方法。认为TSV电镀…

离子刻蚀原理：离子束在高速撞击下，将离子动能传递给材料表面，从而使材料发生腐蚀、溶解或反应，实现刻蚀。 特点：高精度，可实现微米级别甚至纳米级别的精确刻蚀，对材料具有很好的控制性。高选择性，针对不同材料之间具有很好的选择性，避免了不必要的腐蚀。用途广泛，常用于半导体器件、光电子学和微纳米器件的制造，以及表面处理和模板制备等领域。 等离子体刻蚀（Plasma …

    2025年3月12日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布其等离子体刻蚀设备反应总台数全球累计出货超过5000台。这包括CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机、单反应台反应器和双反应台反应器共四种构型的设备。等离子体刻蚀机，是光刻机之外，最关键的、也是市场最大的微观加工设备…

德国‬根德的Prima Boy属于中后期便携机系列，机型可以细分为100， 200, 500, 600, 700等。 其中200系列型号最多，从201到210，但依然还保留纯晶体管电路设计，体积小巧，音质优美温暖尤其是中低音出色，颇具可玩性和收藏价值。 210 收音机发布于大约1970年， 10晶体管6二极管4波段。该机只针对欧洲市场销售，所以带长波，调频只…